SRAM最新报道--CNET科技资讯网

IBM公司近日表示，已经研发出首个22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元，该SRAM芯片将使22纳米处理器性能大幅提高，并减少耗电，应用于个人电脑，服务器及其它设备上的处理器产品。

IBM将处理器当中的测试存储芯片缩小至22纳米，从而提升处理器性能以及减少了耗电。这种存储芯片叫做静态随机存储器（SRAM）单元。

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3月25日消息，台积电本周一披露了其第一个40纳米生产工艺技术，并且表示将在未来三个月内用这种技术生产出第一批晶圆。台积电表示，新的低功率40LP芯片将用于敏感型应用，如便携式设备和无线设备。

英特尔将在ISSCC 2008上发布采用high-k绝缘膜和金属栅极的、基于45nm CMOS工艺的SRAM。电源电压为1.1V时，工作频率为3.5GHz。主要用于新一代“Core2”微处理器的二次缓存。

据调研机构Gartner 最新报告显示，尽管英特尔今年的营收额下滑了9.5%，但仍然保持着全球最大半导体厂商的称号。

三星在德国的公司受到了搜查。这是欧盟对其SRAM价格操纵案调查活动的一部分。

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索尼周二表示，美国司法部正对其电子部门静态随机存取内存（SRAM）业务进行调查。

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索尼已经接到美国司法部通知，将对它在SRAM市场上的商业活动进行反垄断调查。三菱和韩国的三星也收到了类似的通知。

三星电子完成了200MHz 16Mb 四倍速SRAM的开发。这种新的装置可提供2个独立的数据端口，分别以双倍数据传输率运行，因此每时钟周期可以同时传输4组数据。