DRAM芯片关税起争端 韩国在WTO向日本表示"不满"

韩国上周五对世界贸易组织表示，对日本没有降低内存芯片关税的做法“相当失望”，韩国有可能向世界贸易组织申请进一步仲裁。

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现代工厂停电芯片报废 内存走势如何

自从今年清明节期间内存价格出现一波大幅度上涨之后，至此以后价格就表现平稳，涨跌幅度都较小，主流1GB DDR2-667内存维持在140元左右，1GB DDR2-800内存则维持在150元左右。

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分析：为何近期内存价格持续反涨？

从上周末开始，国内市场上内存价格出现持续小幅上涨，截止到今天，宇瞻1GB DDR2-667台式机内存已经从125元涨至140元，涨幅达15元，而1GB DDR2-800和2GB DDR2-667内存也上调10元左右。

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[上海]彻底白菜价超胜1G667内存190元

超胜DDR2内存均采用韩国原厂颗粒制造，而超胜科技本身是韩国原厂最正宗的Hynix现代内存全国总代理，Hynix现代正品内存，产地韩国，使用韩国原厂最优级芯片颗粒，高品质PCB板，做工用料优良，超频性能强劲。

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NAND闪存芯片价格迅速上涨

NAND闪存芯片价格上浮，与当前包括Hynix半导体与IM Flash技术公司在内的主流芯片厂商削减产量或产品延期上市有关。据悉，在2008年年初，金士顿低价从三星电子公司规模采购了约1亿枚NAND闪存芯片。

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内存涨跌不定 用户厂商对立各说纷纭

对于DIY配件市场来说，内存、硬盘、CPU的价格波动最为频繁，就像股市曲线图一样涨涨跌跌。可以看出厂商是非常希望价格反弹的，不过介于目前市场的状况，恐怕涨价在短期内是不能够实现的。

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三大因素促使内存疯涨 后市走向如何

春节过后，各地IT市场上内存价格经过一波短暂的小幅上涨，再度转为持续阴跌走势。

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内存是不是工作在DDR266下

我使用Hynix DDR266 256MB内存，如何知道内存是不是工作在DDR266下？听朋友讲，在BIOS里把内存的CAS值调到2，系统运行速度会加快，但我又怕内存会被烧掉，请问怎么办？。

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老平台升级 金士顿1GB/400跌至288元

07年春节以后，内存市场出现DDR和DDR2齐降的局面，跌势非常喜人。金士顿1GB DDR400内存产品编号为KVR400X64C3A/1G，设计容量为1GB，工作频率为DDR400（等同于PC-3200），工作电压为2.6V，整个模组封装于中国台湾。

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跌破百元关口 现代512M/400内存99元

虽然说目前主流内存规格早已经过度到DDR2产品线，但是仍有很多消费者依然使用上一代内存规格——DDR400。今日笔者从北京中关村卖场得到一条超好消息：现代512MB DDR400兼容内存报价直线下降，目前已经跌破百元大关，报99元。

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DARAM市场出现新走向，台厂发展特殊内存市场

近期国际DRAM大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等在标准型DRAM及NAND型闪存(Flash)市场可说是焦头烂额，已无暇顾及特殊型内存市场，内存业者表示，这正好给予台湾工厂绝佳契机。

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DARAM市场出现新走向，台厂发展特殊内存市场

近期国际DRAM大厂包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等在标准型DRAM及NAND型闪存(Flash)市场可说是焦头烂额，已无暇顾及特殊型内存市场，内存业者表示，这正好给予台湾工厂绝佳契机。

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NAND闪存厂商之间竞争更加激烈

全球NAND型闪存(Flash)市场仍是暗潮汹涌，受到三星电子(Samsung Electronics)扩大成卡业务影响，包括海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)、美光(Micron)等阵营均面临压力，下游客户频要求NAND Flash颗粒降价，否则根本无法与三星阵营对抗，使得NAND Flash大厂和模块厂在台面下正上演激烈拉锯战。

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三星、海力士携手开创下一世代内存芯片

三星与海力士合作开发STT-MRAM

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Hynix称DRAM市场Q2将反弹 内存芯片销售量不降低

世界第二大内存芯片制造商韩国Hynix半导体首席执行官周二预计，第二季度，Hynix在主要市场的情况将反弹。

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内存芯片价格下跌超预期 Hynix预期Q4将出现亏损

据全球第二大内存芯片厂商Hynix半导体发布的一份文件称，受内存芯片价格下跌的拖累，2007年第四季度将出现运营亏损和净亏损。

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海力士54nm 1Gb DDR2 DRAM通过英特尔认证

海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，采用50纳米级制程的1Gb DDR2 DRAM芯片已通过英特尔验证，这也标志着DRAM行业芯片制程首次突破60nm。

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集邦科技第三季度统计：海力士DRAM市占率直逼三星

根据集邦科技（DRAMeXchange）最新的统计显示，海力士（Hynix）第三季度DRAM营收贡献大增，季度增长率高达15.4%，

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带宽20GB/s！海力士推出业界首款1Gb GDDR5显存芯片

海力士半导体公司（Hynix Semiconductor Inc.）今天发布了业内首款1Gbit GDDR5芯片，采用66纳米制程工艺，带宽高达5Gbps

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Hynix继AMD之后第二家获得Z-RAM授权

Z-RAM技术的开发者Innovative Silicon (ISi)公开宣布，它们已经与韩国Hynix达成协议，授权Hynix在DRAM芯片中导入Z-RAM技术，Hynix也因此成为AMD之后第二家采用Z-RAM技术的半导体企业。

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抑制降价风潮 Hynix停止向现货市场供应DRAM芯片

世界第二大内存芯片制造商韩国Hynix宣布，为了抑制不断下滑的产品价格，公司已经决定停止向现货市场供应DRAM芯片。

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Hynix称内存市场或遭短期回落 呼吁对手减少产量

周二，Hynix 的CEO Kim Jong-kap表示，由于供应增长，全球芯片市场可能会遭遇短期的回落，并呼吁中国台湾省的竞争对手调整产量。

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意法半导体在华寻合作伙伴 对中芯宏力茂德有意

一名消息人士本周五表示，意法半导体公司正在与中国数家芯片厂商就达成制造合作伙伴关系进行谈判。

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Hynix开发出全球最快1GB手机芯片 2008年初量产

Hynix表示，已经开发出了世界上速度最快和尺寸最小的容量为1GB的手机芯片，并计划于明年初量产。

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东芝Hynix了结闪存专利纠纷 达成新许可协议

日本东芝和韩国Hynix签署一项交叉许可协议，了结一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。

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06全球十大芯片厂商排名 英特尔连续15年折桂

据调研机构Gartner 最新报告显示，尽管英特尔今年的营收额下滑了9.5%，但仍然保持着全球最大半导体厂商的称号。

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Sun、Unisys起诉Hynix 求偿操纵内存价格损失

本周二，Hynix 表示，Sun 和Unisys已经联合提起了诉讼，要求Hynix 等数家内存芯片厂商赔偿因合谋操纵价格给它们造成的损失。

关键词 : Sun Unisys Hynix 内存 芯片

Hynix承认共谋操纵内存价格 被罚1.85亿美元

美国司法部官员宣布，Hynix 半导体已经接受操纵DRAM芯片价格、触犯反垄断法的罪名，并愿意接受高达1.85亿美元的罚款。

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韩Hynix正式签无锡建厂合同 2006年开始量产

韩国现代（Hynix） 半导体日前与无锡市政府签订了正式合同，将在无锡建设8 英寸和12英寸晶圆生产线。

关键词 : 韩 Hynix 国际化 策略

韩现代半导体称在中国合资建厂需投资20亿美元

关键词 : Hynix