[栅极]
- IBM成功研发32纳米技术 AMD或将在09年下半年采用
- IBM目前已经利用新的高电介质金属栅极技术，在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor-CMOS）技术的配合之下成功的开发出了第一片静态随机存取记忆体（Static Random Access Memory-SRAM）芯片，实测功耗非常的低，达到了预期的效果。对于AMD来说，新的32纳米芯片制造技术将使其在2010年的竞争中抢得先机，而目前要做的就是紧咬英特尔不放。
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- IBM铺平32nm新工艺之路
- 早在今年1月29日，IBM和索尼、东芝等研究伙伴就宣布开始投入“高电介质金属栅极”(High-K Mental Gate)的研究。作为IBM的合作伙伴，AMD此前曾表示他们仍在研究再45nm工艺中引入高电介质金属栅极方案的可能性。
- 关键词 : IBM 新工艺 栅极
- 英特尔赵军：高K-金属栅极和45纳米有什么关系？
- 大家习惯了芯片生产工艺两年一次的更新换代，给大家的感觉好像是从65纳米到45纳米同以前从130纳米到90纳米，以及从90纳米到65纳米一样没有什么特别的。
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