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英特尔22nm已经ready 14nm工艺问题不大

时间2011-09-14 14:55:45作者:孟庆文章来源:ZDNet视点
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前不久,英特尔在大连召开了2011英特尔中国大学峰会,分享了英特尔“互联计算”的愿景,详细介绍了代表未来计算发展趋势的先进技术,并指出随着用户对于智能、互联体验需求的增加,个性化计算与绝佳的用户体验正在成为新时期获得成功的关键要素。

会上,来自英特尔公司技术与制造事业部高级院士、制程架构与集成总监马博(Mark T. Bohr)博士;英特尔院士、英特尔架构事业部可扩展服务器架构部门总监布雷格(Fayé Briggs)博士分别从制程工艺、高性能计算的存储架构、嵌入式技术等不同角度详细介绍了英特尔最新的技术成果与解决方案。ZDNet服务器频道记者会后采访了他们。

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英特尔公司技术与制造事业部高级院士、制程架构与集成总监马博(Mark T. Bohr)博士

马博作为英特热公司的高级院士,主要负责晶体管制程工艺。他开玩笑对记者说,英特尔把他天天关在晶圆厂,唯一目的就是逼他想办法把晶体管不断的缩小缩小再缩小——无奈状。实际上,他表示基于英特尔的Tick-Tock战略——制程演进一年,第二年是架构升级,第三年继续升级制程——在晶体管制造方面就会遇到各种问题,因而需要不断的研究和创新。

他表示,每当旧的晶体管工艺遇到瓶颈时,他们就会寻找不同的突破方向。而由于研发超前于量产3~5年,因此有足够的时间做突破。他举例表示,在65nm工艺时传统晶体管技术走到了尽头:二氧化硅(SiO2)电介质的多晶硅栅极电极无法再做的更小——庞大的漏电难题和良品率问题几乎无法克服。于是他们转而寻找新的半导体材料,并最终用高K+基于铪的电介质金属栅极完成了45nm工艺制程的突破。

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而到了如今,32nm工艺制程已经量产,22nm则已经在研发机构中完成了研究,正在转交给开发部门开发量产的设备。其中,马博提到了借助材料和结构的创新成果:3D三栅极晶体管,立体的三维晶体管架构使得英特尔得以将22nm工艺得以获得更高的性能提升和更低的漏电率。

此外,马博还介绍了未来半导体的器件与材料的研究方向。随着制程工艺的进一步微缩,需要能够自下而上填充的全新材料,来提高电阻和电容(R & C);需要迁移率更高的材料,来进一步降低工作电压;还需要新的三维半导体器件以及一些特殊材料如石墨烯、碳纳米管(CNT)等。

对于目前英特尔自身在制程工艺方面的进展,马博表示,目前英特尔晶圆厂的22nm制程已经接近量产,14nm技术也已经基本完成了技术上的突破,并且将在2~3年后投产,而他作为研发人员已经将精力集中在10nm工艺的研发上——他个人认为10nm工艺问题不大。而对于芯片的发展方向,马博认为包括英特尔和其他研究机构在内,都在将研发重点逐渐投向CMOS晶体管之外的其他更多领域——包括前面提到的石墨烯和碳纳米管等。


原文来自探客网:http://wo.zdnet.com.cn/space-602327-do-blog-id-19942.html
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