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传英特尔三星东芝将联合开发10纳米闪存芯片工艺

时间2010-11-01 07:24:51作者:CNET科技资讯网
本文关键词:东芝 闪存 芯片 三星 英特尔

CNET科技资讯网11月1日国际报道 路透社报道称,英特尔、三星、东芝已经达成一项联合开发协议,开发10纳米闪存芯片生产工艺。三家公司预计将于2016年起采用10纳米工艺生产闪存芯片。

英特尔发言人查克·穆洛伊(Chuck Mulloy)对此表示,这显然是一个传言,根据我们的一贯政策,我们不会对这类传言发表评论。这些传言来自日经新闻的报道。

目前,这三家公司都采用20纳米级别的工艺生产闪存芯片。25纳米相当于人类头发直径的三千分之一。

日经新闻报道称,尽管三家公司都可能利用新开发的工艺生产闪存芯片,英特尔还将把新工艺用于生产处理器。

报道还称,该项目将耗资1.22亿美元,日本经济贸易产业省将提供约6100万美元资金。

市场研究公司iSuppli预测,2013年全球闪存卡发货量将由今年的5.3亿块增长至95亿块,市场规模将达到265亿美元。在智能手机的推动下,大容量闪存芯片还有很大的增长空间。要与硬盘竞争,NAND闪存芯片的成本必须大幅度下降。提高存储密度可以降低单位存储容量的成本。

缩小芯片中的电路尺寸存在一些难以克服的问题,其中最突出的是数据错误率,需要开发更先进的纠错技术。

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