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MemCon 2008:DRAM市场疲软 闪存市场停滞




作者: 存储时代--火龙果 STOR-AGE.COM
CNETNews.com.cn
2008-07-24 19:19:44
关键词: MemCon 2008 DRAM NOR NAND

与半导体存储相关的报告会MemCon 2008 21号在美国开幕。根据MemCon的惯例,由对存储市场的动向分析展开了演讲。Denali Software的存储市场分析师,Lane Mason首先展开了发言。

MemCon 2008:DRAM市场疲软 闪存市场停滞

半导体存储市场最近的动向

2008年的半导体存储市场呈现出了疲态。半导体存储全体市场规模有510亿美元,并没有达到在2007年预测的580亿美元。DRAM市场规模呈现出非常大的缩水,相对于2007年的310亿美元,2008年仅达到了250亿美元。作为存储市场强有力的领导者,NAND闪存的销售金额也停滞不前,2007年是140亿美元,2008年只成长到150亿美元。NOR闪存从2007年的80亿美元减少至2008年的70亿美元。

Mason先生就半导体存储市场的主力DRAM与闪存单独市场进行了讲解。DRAM在2007年的比特换算中呈现了增大的趋势,扩大了90%,成为了在过去15年间最大的增长。DRAM销售商也在2007年成功削减了40~50%的制造成本,DRAM的价格在2007年下降了80%。但对于销售商来说非常困难的是在2008年必须继续削减成本。

DRAM的主力产品是DDR2-667,1Gbit的DDR2-667售价极低,仅在2美元左右。Mason先生指出这对DDR3的发展造成了一定影响。下面能看出在2008年DDR2-667的发展方向。

MemCon 2008:DRAM市场疲软 闪存市场停滞

DRAM各销售公司的动向

NAND闪存市场规模虽然停滞不前,但它在半导体存储市场的领头角色却并没有改变,这是过去实际成绩的结果。2001年~2002年NAND闪存市场规模仅为20亿美元,而在2007年已经超越了140亿美元。随着比特的价格持续下降,制造成本将会继续降低。

NAND闪存制造的成本削减,成功成为了半导体产品细微化的领头者,今后也能看出继续细微化的趋势。SanDisk与东芝在细微化及制造技术上有飞跃性的突破,三星电子也与之激烈竞争。

但NAND闪存中,SLC(单级单元)、2bit/单元MLC(多级单元)、3bit/单元MLC等不同存储单元技术产品混杂在一起。这些产品的实际用途都不相同,Mason先生解释了必要的注意事项。

MemCon 2008:DRAM市场疲软 闪存市场停滞

NAND闪存市场的演变(2000年至2007年,金额单位为10亿美元)

MemCon 2008:DRAM市场疲软 闪存市场停滞

NAND闪存各销售公司的动向

NOR闪存市场的80%份额被Numonyx和Spansion两个公司占据,出现了寡头垄断的状况。Intel和STMicroelectronics进行了产业整合,设立了Numonyx,但NOR闪存业务在这数年内一直出现赤字,状况非常不理想。

此外,Mason先生指出了半导体闪存的销售者,特别是NAND闪存的销售者们仍在继续大规模的投资设备,尽管销售额仅仅只占了整个半导体市场的27%,但投资却超过了半数以上。2007年在设备上投资了330亿美元,为了减轻设备投资的巨额负担,现在兴起的是业务的整合与协作。

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