分析：NAND闪存迎来大发展 新芯片工艺是转折点

关键词： NAND NAND芯片 DRAM NAND闪存 闪存峰会 闪存

CNET科技资讯网8月9日国际报道 据闪存技术的最大支持者之一称，闪存将“接管”整个世界。

本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“闪存峰会”上说，一方面，NAND闪存正在打跨竞争对手。NAND已经使1英寸硬盘失去了用武之地，现在，它又对1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸笔记本电脑硬盘构成了威胁。

他说，NAND下一个大市场将是视频，明年，市场上将会出现配置了更多闪存的相机和拍照手机。明年，市场上还将出现更多的闪存笔记本电脑。

在未来的5-7年内，NAND还将开始取代DRAM。由于技术进步非常快，NAND已经由2001年的价格远高于DRAM发展到了2007年远低于DRAM。IBM和其它厂商已经在开发依赖NAND的固态服务器。

但是，NAND也面临一些困难：要继续改进NAND芯片已经很困难了。Harari说，NAND的发展速度肯定会慢下来，存在一些基本的应用限制和基本的物理限制。我们还可以再发展3、4代，甚至是5代技术，然后，我们就需要全新的技术了。

问题在于这些芯片中的零件不能再被进一步缩小了。隧道氧化层可能被缩小到约80埃。在其它的芯片中，隧道氧化层能被缩小到12埃。

数据丢失是另一个问题。闪存通过在存储单元中存储电流的方式记录数据。Harari说，在0.032微米工艺中，我们不能泄露32个电子。30个电子听起来很多，但其实是非常小的。

转折点可能出现在0.02微米工艺芯片中。采用0.02微米工艺后，NAND芯片将能够存储256Gb数据，每个数据位的成本将只有目前的十分之一，但要利用现有的制造工艺和材料进一步改进NAND芯片则是极其困难的。

有哪些可替代性技术呢？SanDisk将开发以3D方式排列晶体管的技术。Harari表示，当土地很昂贵后，我们可以向高空发展。SanDisk收购了3D内存芯片厂商Matrix Semiconductor。但是，Matrix芯片是不可重写的，解决这一问题将是SanDisk的重中之重。

厂商还将在一个单元中存储多个数据位。目前，存储密度最高的芯片能够在1个单元内存储2个数据位，未来2、3年还将出现每个单元存储3个数据位的芯片，此后还会出现每个单元存储4个数据位的芯片。目前，大多数厂商还没有过多地讨论每个单元存储3个数据位的芯片。其它公司还在开发相位改变内存等技术。

成本是另外一个重要问题。Harari表示，生产线的建设成本已经高达50亿美元，全球生产工厂近50%的生产能力将在未来2年内得到更新。NAND芯片厂商为此需要投入大量资金。

新生产线将使生产效率最高的厂商每年将价格下调30%-45%。不幸的是，在过去的二年中，NAND价格每年下滑的幅度高达60%。如果成本每年只能降低40%，价格就无法下调60%。并购将成为不可避免的一种选择。